Fotodiody Dlya Ekologicheskogo Monitoringa » książka
Fotodiody Dlya Ekologicheskogo Monitoringa
ISBN-13: 9783659554384 / Rosyjski / Miękka / 2014 / 76 str.
V knige opisana razrabotka i optimizatsiya konstruktsii geterofotodioda InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP v otnoshenii tolshchin, kontsentratsiy, a takzhe geometrii omicheskikh kontaktov. Sozdany i issledovany fotodiody na osnove geterostruktur InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP s diametrami fotochuvstvitel'noy ploshchadki 0.3 mm, dlya ekologicheskogo monitoringa. Otlichitel'noy osobennost'yu fotodiodov yavlyaetsya tokovaya monokhromaticheskaya chuvstvitel'nost' v maksimume spektra ( max = 4.0 4.6 mkm), dostigayushchaya znacheniy 0.6 0.8 A/Vt, znachenie plotnosti obratnykh temnovykh tokov (1.3 7.5)x10 2 A/sm2 pri napryazhenii obratnogo smeshcheniya 0.2 V. Differentsial'noe soprotivlenie v otsutstvii smeshcheniya dostigaet velichiny 700 800 Om. Obnaruzhitel'naya sposobnost' fotodiodov v maksimume spektral'noy chuvstvitel'nosti dostigaet (5 8)x108 sm Gts1/2 Vt 1. Predlozhen i oprobovan novyy metod povysheniya kvantovoy effektivnosti fotodiodov dlya srednego IK diapazona spektra (s granichnoy dlinoy volny 5.0 mkm), zaklyuchayushchiysya v primenenii krivolineynoy mnogokratno otrazhayushchey poverkhnosti na tyl'noy storone fotodiodnogo chipa v vide polusfericheskikh yamok."
V knige opisana razrabotka i optimizatsiya konstruktsii geterofotodioda InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP v otnoshenii tolshchin, kontsentratsiy, a takzhe geometrii omicheskikh kontaktov. Sozdany i issledovany fotodiody na osnove geterostruktur InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP s diametrami fotochuvstvitelnoy ploshchadki 0.3 mm, dlya ekologicheskogo monitoringa. Otlichitelnoy osobennostyu fotodiodov yavlyaetsya tokovaya monokhromaticheskaya chuvstvitelnost v maksimume spektra (λmax = 4.0 − 4.6 mkm), dostigayushchaya znacheniy 0.6−0.8 A/Vt, znachenie plotnosti obratnykh temnovykh tokov (1.3 − 7.5)×10−2 A/sm2 pri napryazhenii obratnogo smeshcheniya 0.2 V. Differentsialnoe soprotivlenie v otsutstvii smeshcheniya dostigaet velichiny 700 − 800 Om. Obnaruzhitelnaya sposobnost fotodiodov v maksimume spektralnoy chuvstvitelnosti dostigaet (5 − 8)×108 sm • Gts1/2•Vt−1. Predlozhen i oprobovan novyy metod povysheniya kvantovoy effektivnosti fotodiodov dlya srednego IK diapazona spektra (s granichnoy dlinoy volny 5.0 mkm), zaklyuchayushchiysya v primenenii krivolineynoy mnogokratno otrazhayushchey poverkhnosti na tylnoy storone fotodiodnogo chipa v vide polusfericheskikh yamok.
Czytaj nas na:
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
