FOTOLEITFÄHIGKEIT VON CDS

ISBN-13: 9786204651064 / Miękka / 56 str.

Razad P M

Opis

CdS ist ein bekannter II-VI-Halbleiter und hat eine direkte Bandlücke von 2,42 eV bei Raumtemperatur. Halbleiter in Nanostrukturen finden breite Anwendung als Laser, Detektoren, Feldemitter, Wellenleiter, Photoleiter, logische Gatter, piezoelektrische Nanogeneratoren, farbstoffsensibilisierte Solarzellen und Thermoelektronik. In jüngster Zeit wurden mehrere 1D-Nanostrukturen von CdS synthetisiert und untersucht, wie z. B. Nanodrähte, Nanoribons, Nanostäbchen und Nanoröhren. Nur sehr wenige haben jedoch neuartige komplexe 3D-Strukturen wie blumen- und baumähnliche Strukturen durch solvothermische Verfahren synthetisiert. In der neueren Forschung sind die Synthese komplexer 3D-Strukturen und die Untersuchung ihrer Eigenschaften eine wichtige Aufgabe und müssen entwickelt werden, da komplexe Strukturen mehr neuartige Eigenschaften aufweisen können, die für bestehende und neuartige Geräteanwendungen nützlich sind. Michael Kokotov und sein Kollege synthetisierten einen blumenähnlich strukturierten 3D-CdS-Film durch chemische Badabscheidung in einem Schritt, nachdem sie eine KMnO4-Keimschicht gebildet hatten. Es gibt kaum Berichte über die Synthese reiner CdS-Filme mit Blumenstruktur, und es besteht ein Bedarf an einem detaillierten Wachstumsmechanismus für die Bildung komplexer 3D-Strukturen in dünnen Filmen.

O autorze

Dr. P. M. Razad erhielt seinen Master- und Doktortitel in Physik von der Bharathiar University mit Unterstützung des UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Indore. Er hat acht Forschungsarbeiten in renommierten internationalen Fachzeitschriften veröffentlicht. Seit 2018 ist er als Assistenzprofessor am Sri Ramakrishna College of Arts and Science tätig.