Engenharia de Defeitos em Semicondutores de gap Largo

ISBN-13: 9786202402484 / Portugalski / Miękka / 2018 / 128 str.

Leonilson K. S. de Herval; Marcio P. F. de Godoy

Opis

Os defeitos em semicondutores acarretam mudanças nas propriedades físicas do material, tendo uma grande importância nos semicondutores que possuem alta energia de gap devido à possibilidade de aplicação em alta temperatura. No presente trabalho, estudamos as características atribuídas à presença de defeitos em diferentes semicondutores de gap largo, crescidos/sintetizados por reação de estado sólido, método de Pechini e epitaxia de feixes moleculares. Este trabalho evidencia a importância da engenharia de defeitos em semicondutores de gap largo para o aperfeiçoamento de tecnologias ligadas à área de optoeletrônica e spintrônica.

O autorze

Leonilson K. S. Herval é Bacharel em Física Biológica, Mestre em Física e Doutor em Física da Matéria Condensada. Atualmente (2017) é professor adjunto da Universidade Federal de Lavras, onde desenvolve pesquisas relacionadas a síntese e caracterização de óxidos semicondutores e compósitos de polímeros/óxidos.