Conduction Par Pieges Dans Les Films Minces de Dioxyde de Silicium » książka
Conduction Par Pieges Dans Les Films Minces de Dioxyde de Silicium
ISBN-13: 9786131513800 / Francuski / Miękka / 2010 / 268 str.
Le marche des memoires non volatiles a grille flottante connait un essor considerable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines d'applications de la microelectronique et par consequent dans de tres nombreux secteurs industriels. Cependant, ces dispositifs memoires se heurtent a une limite technologique liee a l'impossibilite de reduire l'epaisseur de la couche d'oxyde tunnel isolant la grille flottante contenant l'information, sans atteindre le domaine des courants de fuite induits (Stress Induced Leakage Current). Ces fuites engendrent des pertes de charge qui diminuent drastiquement le temps de retention et la duree de vie des cellules memoires. A travers ce livre riche en details techniques et scientifiques, l'auteur aborde successivement les nombreuses etapes indispensables qui doivent etre prises en compte lors du developpement d'outils de caracterisation adaptes a la mesure des courants SILC inferieurs au fA. Il explique egalement, en les justifiant, chaque etape de la construction d'un modele de conduction assiste par des pieges situes dans l'oxyde de grille et permettant de realiser l'extraction des profils spatial et energetique de ces defauts."
Le marché des mémoires non volatiles à grille flottante connaît un essor considérable du fait de leur utilisation croissante dans tous les domaines dapplications de la microélectronique et par conséquent dans de très nombreux secteurs industriels. Cependant, ces dispositifs mémoires se heurtent à une limite technologique liée à limpossibilité de réduire lépaisseur de la couche doxyde tunnel isolant la grille flottante contenant linformation, sans atteindre le domaine des courants de fuite induits (Stress Induced Leakage Current). Ces fuites engendrent des pertes de charge qui diminuent drastiquement le temps de rétention et la durée de vie des cellules mémoires. À travers ce livre riche en détails techniques et scientifiques, lauteur aborde successivement les nombreuses étapes indispensables qui doivent être prises en compte lors du développement doutils de caractérisation adaptés à la mesure des courants SILC inférieurs au fA. Il explique également, en les justifiant, chaque étape de la construction dun modèle de conduction assisté par des pièges situés dans loxyde de grille et permettant de réaliser lextraction des profils spatial et énergétique de ces défauts.
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