• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Computer Modelling of Electronic and Atomic Processes in Solids » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2949965]
• Literatura piękna
 [1857847]

  więcej...
• Turystyka
 [70818]
• Informatyka
 [151303]
• Komiksy
 [35733]
• Encyklopedie
 [23180]
• Dziecięca
 [617748]
• Hobby
 [139972]
• AudioBooki
 [1650]
• Literatura faktu
 [228361]
• Muzyka CD
 [398]
• Słowniki
 [2862]
• Inne
 [444732]
• Kalendarze
 [1620]
• Podręczniki
 [167233]
• Poradniki
 [482388]
• Religia
 [509867]
• Czasopisma
 [533]
• Sport
 [61361]
• Sztuka
 [243125]
• CD, DVD, Video
 [3451]
• Technologie
 [219309]
• Zdrowie
 [101347]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2362]
• Puzzle, gry
 [3791]
• Literatura w języku ukraińskim
 [253]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7933]
Kategorie szczegółowe BISAC

Computer Modelling of Electronic and Atomic Processes in Solids

ISBN-13: 9780792344032 / Angielski / Twarda / 1997 / 356 str.

Roderick Tennyson; R. C. Tennyson; Arnold E. Kiv
Computer Modelling of Electronic and Atomic Processes in Solids Roderick Tennyson R. C. Tennyson Arnold E. Kiv 9780792344032 Kluwer Academic Publishers - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Computer Modelling of Electronic and Atomic Processes in Solids

ISBN-13: 9780792344032 / Angielski / Twarda / 1997 / 356 str.

Roderick Tennyson; R. C. Tennyson; Arnold E. Kiv
cena 408,11
(netto: 388,68 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 404,63
Termin realizacji zamówienia:
ok. 10-14 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

This study focuses on the development and application of computer models for the analysis of various solid materials at the atomic, molecular and macroscopic levels. Many of the papers incorporate environmental effects in the computer models, including space effects such as atomic oxygen, radiation, charged ions, microparticle impacts, temperature and photoexcitation.

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Science > Nanoscience
Computers > General
Science > Fizyka jądrowa
Wydawca:
Kluwer Academic Publishers
Seria wydawnicza:
Philosophical Studies Series
Język:
Angielski
ISBN-13:
9780792344032
Rok wydania:
1997
Numer serii:
000033533
Ilość stron:
356
Oprawa:
Twarda
Wolumenów:
01
Dodatkowe informacje:
Wydanie ilustrowane

Preface. Flow Chart. Atomic and Molecular Processes. 1. New Mechanisms of Radiation Defect Creation in Space Conditions; E.P. Britavskaya, et al. 2. Computer Simulation of Catalytic Systems; M.A. Nygren, et al. 3. Application of Green-Function Method to Molecular Systems; P.W.M. Jacobs, et al. 4. Computer Simulation of HTSC Structures and Processes; V.V. Kirsanov, et al. 5. Semi-Empirical Simulation of Radiation Defects in Oxide Materials; E. Kotomin. 6. Cluster Model in Surface Science; V.V. Kovalchuk, et al. 7. Modelling of Inhomogeneity in Solid Coatings Obtained from Water Suspensions; D.B. Lukatsky, E. Rysiakiewicz-Pasek. 8. Quantum Mechanical Simulations in Semiconductor Materials Science: The Tight Binding Molecular Dynamics Approach; D. Maric, L. Colombo. 9. Molecular Dynamics Study of Self-Organization of Polymer Liquid Crystals; A.I. Melker, A.N. Efleev. 10. Molecular Dynamics Study of Self-Organization and Compression of an Amorphous Polymer; A.I. Melker, et al. 11. Modelling Nonmetal Surface Damage Created by Multiply-Charged Ions; E. Parilis. 12. Modelling of Local Centres of Icosahedral Symmetry in Solids and Fullerenes; A.B. Roitsin, et al. 13. Modelling Structure and Defects in Zeolites; A.A. Sokol, C.R.A. Catlow. 14. The Nature of a Photo-Induced Metastable State in SI:H; F.T. Umarova, Z.M. Khakimov. 15. The Molecular Dynamics Simulation of Contact Melting: Four-Component Ionic Systems; V.S. Znamenski, I.N. Pavlenko. Electronic Structure and Processes. 16. The Molecular Dynamics Simulation of Interactions in Shock-Compressed Systems; V.S. Znamenski, et al. Electronic Structure and Processes. 17. Combined Density Functional and Configurational Interaction Method for the Electronic Structure of Solids with Impurities; I.V. Abarenkov. 18. Configurations of Point Defects in Silicon Under Critical Concentrations; R.M. Balabay, N.V. Grishchenko. 19. Hybrid Quantum-Mechanical and Potential Models for Studies in Solids; A.H. Harker. 20. Mechanisms of Destruction of Solid Surfaces Induced by Electron Excitations; E.A. Kiv. 21. New Method of Computer Simulation of Defect Configurations in Semiconductors; Z.M. Khakimov, F.T. Umarova. 22. Computer Modelling of Dielectric Properties of Composite Materials; V.V. Novikov, O.P. Poznansky. 23. Simulation of Recombination Processes in Porous Silicon; Ya.O. Roizin, et al. 24. Quantum Mechanical Modelling of Exciton and Hole Self-Trapping in Ionic Crystals; A.L. Shluger, V.E. Puchin. 25. Correlation Between Electronic Structure and Atomic Configurations in Disordered Solids; Yu.N. Shunin, K.K. Schwartz. Structure and Properties. 26. Monte Carlo Computational Techniques for Prediction of Atomic Oxygen Erosion of Materials; B.A. Banks, T.J. Stueber. 27. Structural Models of Photosensitivity of Polycrystal Films; A. Gokhman, et al. 28. Predictive Models of Erosion Processes in LEO Space Environment: A Basis for Development of an Engineering Software; J.I. Kleiman, et al. 29. Computer Simulations and Experimental Studies of Ion Implantation in Polymers for Erosion Resistance Improvement; Z.A. Iskanderova, et al. 30. Computer Modelling of the Anomalous Ultrasound Attenuation in Glasses; E.P. Niknonova, V.N. Solovjev. 31. The Fractal Models of Defects Growth in Solids; M. Rybaczuk. 32. Computer Model for M/OD Impact Damage Assessment on Spacecraft Materials; R.C. Tennyson, G. Shortliffe. Appendix A. Appendix B. Index.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia