Charakterisierung der Kapazität bis zur Resonanzfrequenzverschiebung und chaotisches Verhalten des Dünnschichtenkondensators PZT(30/70)

ISBN-13: 9783656226925 / Niemiecki / Miękka / 2012 / 68 str.

Duc Anh Le

Opis

Diplomarbeit aus dem Jahr 2009 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik, Note: 1,2, Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg (Physik), Veranstaltung: 2004-2009, Sprache: Deutsch, Abstract: Kapitel 1 Einleitung Der moderne Lebensbedarf der Menschen erfordert viele interessante Beitrage zur Forschung und Entwicklung von elektrokeramischen Werkstoffen. Neben elektrischen Eigenschaften besitzen einige Materialien auch noch besondere Eigenschaften wie Piezoelektrizitat oder Ferroelektrizitat. Mit neuen und modernen Technologien konnen die neuartigen Bauelemente im mikroelektronischen bis nanoelektrischen Bereich gebaut werden. Die ferroischen Materialien besitzen hohe bis sehr hohe relative Dielektrizitatskonstanten (εr) im Bereich zwischen 100 und 100.000, weshalb sie als Material fur Keramikkondensatoren mit hoher Volumenkapazitat verwendet werden. Normalerweise ersetzen sie zunehmend die Keramikkondensatoren mit einem Widerstand (R) und einem Spule (L). Dabei haben sie allerdings Nachteile, z.B. die starke Temperaturabhangigkeit und die hohen dielektrischen Verlustfaktoren. Mit hohen Dielektrizitatskonstanten werden sie auch in der Halbleitertechnologie interessant, wo fur kleinere Speicherschaltkreise (RAM) hohe Kapazitaten auf engstem Raum benotigt werden. Der Hauptvorteil bei der Verwendung von sogenannten FeRAM (ferroelektrischen RAM) ist, dass diese ihren Ladungszustand im Vergleich zu derzeit (2008) hauptsachlich eingesetzten DRAMs quasi nicht verlieren. Der Aufbau einer DRAM-Zelle besteht aus einem Kondensator und einem Transistor. Die In-formation wird als elektrische Ladung im Kondensator gespeichert. Jede Speicherzelle speichert ein Bit. Ein Bit von diesem herkommlichen FeRAM besteht aus einem Kondensator und aus einem Transistor, welches einen ferroelektrischen Film anstelle eines isolierenden Films des Gatters des einzelnen Feldeffekttransistors benutzt. Der Bereich, der fur eine Einzelzelle erforderlich ist, ist lediglich der Raum, der durch de