CV-Messungen an geätzten epitaktisch gewachsenen Schichten

ISBN-13: 9783838621104 / Niemiecki / Miękka / 2000 / 98 str.

Bjorn Hoffmann

Opis

Inhaltsangabe: Einleitung: In der heutigen Zeit werden in immer mehr Geraten Halbleiterbauelemente eingesetzt. Unter der Zielsetzung, moglichst viele Strukturen auf einer Flache unterzubringen, haben sich Atztechniken zu einem der wichtigsten Werkzeuge bei der Herstellung von Halbleiter-Mikrostrukturen entwickelt. Jede Weiterentwicklung der Atztechnik erlaubt die genauere Kontrolle der Atzrate, der Selektivitat, der Flankensteilheit, der immer besseren Reproduzierbarkeit des Atzvorganges und dergleichen mehr. Jede Atztechnik schadigt aber auch den zu atzenden Halbleiterkristall. So ist die Auswahl einer Atztechnik ein Abwagen der Vorteile und Nachteile. Dabei zeigt sich, da trotz der mehr als funfzigjahrigen Forschung uber Halbleiter bzw. Halbleiterbauelemente auch heute noch neue Erkentnisse in diesem Bereich gewonnen werden. Ebenso mussen die vorhandenen physikalischen Modelle fur die neuen Anforderungen und Techniken angepat oder erweitert werden. Mit der zunehmenden Nutzung der in den siebziger Jahren entwickelten epitaktischen Herstellungsverfahren fur Halbleiter, wie der Molekularstrahlepitaxie (MBE) und der Metall-Organischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), ist es heute moglich, Halbleiter-Heterostrukturen aus dem Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Materialsystem herzustellen. Solche Strukturen finden heute ihren Nutzen in der Herstellung von schnellen Bauteilen, wie sie in der Nachrichten- und Optoelektronik verwendet werden. Diese Diplomarbeit im Rahmen eines BMBF-Projektes 1 am Mikrostrukturzentrum der Universitat Hamburg untersucht die durch einen LAIBE-Proze verursachte Schadigung eines GaAs-Halbleiters. Ziel ist es die Art und Tiefe der Schaden in Abhangigkeit von verschiedenen Parametern des CAIBE-Prozesses zu untersuchen. Die Atzung findet in-situ in einer an die MBE-Anlage des Mikrostrukturzentrums Hamburg angeschlossenen Prozekammer statt. Die Dotierung des Halbleiters in Abhangigkeit von der Tiefe wird durch die CV-Memethode ermittelt.

O autorze

Björn Hoffmann, Studium in Lübeck und München, 2001 bis Mitte 2003 AIP und Assistenzarzt am Dr. von Haunerschen Kinderspital der LMU in München, seit Mitte 2003 Assistenzarzt an der Klinik für Allgemeine Pädiatrie der Heinrich-Heine-Universität Düsseldorf, Arbeitsschwerpunkte: Stoffwechselstörungen bei Kindern, Lebensqualität chronisch Kranker