Lacune énergétique d'une diode semi-conductrice - Expérience

ISBN-13: 9786206534471 / Francuski / Miękka / 56 str.

Radhika Ikkurti

Opis

Il donne un bref résumé de la façon dont l'écart énergétique est trouvé et de leurs applications. La densité électronique est bien supérieure à la densité de trous dans le semi-conducteur de type n représenté par ne >> nh alors que, dans le semi-conducteur de type p, la densité de trous est beaucoup plus grande. supérieure à la densité électronique : nh >> ne.Dans un semi-conducteur de type n, le niveau d'énergie du donneur est proche de la bande de conduction et éloigné de la bande de valence. Dans le semi-conducteur de type p, le niveau d'énergie de l'accepteur est proche de la bande de valence et éloigné de la bande de conduction.L'impureté ajoutée dans le semi-conducteur de type p fournit des trous supplémentaires appelés atomes accepteurs, tandis que dans le semi-conducteur de type n, l'impureté fournit des électrons supplémentaires appelés atomes donneurs.Le niveau de Fermi du semi-conducteur de type n se situe entre le niveau d'énergie du donneur et la bande de conduction tandis que celui du semi-conducteur de type p se situe entre le niveau d'énergie de l'accepteur et la bande de valence.Dans le semi-conducteur de type p, les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel supérieur à un potentiel inférieur, contrairement au type n où les porteurs majoritaires se déplacent d'un potentiel inférieur à un potentiel supérieur.

O autorze

Radhika, professeur adjoint de physique, recherche en physique, expérience d'enseignement de 18 ans.