Etude Th�orique de Nanofils Semi-Conducteurs » książka
Etude Th�orique de Nanofils Semi-Conducteurs
ISBN-13: 9786131515132 / Francuski / Miękka / 2018 / 144 str.
Le fonctionnement des dispositifs A(c)lectroniques repose sur la densitA(c) de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densitA(c) est contrAlA(c)e par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la prA(c)sence d''interfaces et de matA(c)riaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui dA(c)terminera complA]tement les propriA(c)tA(c)s A(c)lectroniques du dispositif. Afin d''amA(c)liorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor A effet de champ (FinFET, nanofils transistors A effet de champ) ont A(c)tA(c) proposA(c)es pour remplacer les dispositifs planaires utilisA(c)s aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs dA(c)pend de notre capacitA(c) A mieux contrAler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuretA(c)s dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densitA(c) de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs dA(c)pend de leur taille, que leur propriA(c)tA(c) A(c)lectronique dA(c)pend complA]tement de leur environnement diA(c)lectrique.
Le fonctionnement des dispositifs électroniques repose sur la densité de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densité est contrôlée par lajout datomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la présence dinterfaces et de matériaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui déterminera complètement les propriétés électroniques du dispositif. Afin daméliorer leurs performances et leurs domaines dapplication, de nouvelles architectures de transistor à effet de champ (FinFET, nanofils transistors à effet de champ) ont été proposées pour remplacer les dispositifs planaires utilisés aujourdhui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs dépend de notre capacité à mieux contrôler lemplacement et le nombre datomes dimpuretés dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densité de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs dépend de leur taille, que leur propriété électronique dépend complètement de leur environnement diélectrique.
Czytaj nas na:
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
