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Caractérisation électrique des transistors finfets
ISBN-13: 9786131577888 / Francuski / Miękka / 2018 / 152 str.
Dans ce travail, des mesures en regime statique et en bruit ont ete effectuees sur des transistors FinFETs realises sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux differents isolants de grille. L'un est l'oxyde d'hafnium et le second est le silicate d'hafnium nitrure. La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mecanique locales et globales. Les resultats de mesures en statique ont montre l'amelioration considerable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les resultats de mesures de bruit ont permis d'evaluer la qualite de l'isolant de ces dispositifs, le silicate d'hafnium nitrure semble avoir une meilleure qualite. L'etude du bruit a permis aussi d'apporter des informations sur le transport ainsi que sur les mecanismes physiques qui generent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. Les mesures de bruit en fonction de la temperature (100 K - 300 K) ont permis d'identifier des defauts, souvent lies a la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la methode de spectroscopie de bruit.
Dans ce travail, des mesures en régime statique et en bruit ont été effectuées sur des transistors FinFETs réalisés sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux différents isolants de grille. Lun est loxyde dhafnium et le second est le silicate dhafnium nitruré. La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte mécanique locales et globales. Les résultats de mesures en statique ont montré lamélioration considérable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les résultats de mesures de bruit ont permis dévaluer la qualité de lisolant de ces dispositifs, le silicate dhafnium nitruré semble avoir une meilleure qualité. Létude du bruit a permis aussi dapporter des informations sur le transport ainsi que sur les mécanismes physiques qui génèrent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. Les mesures de bruit en fonction de la température (100 K - 300 K) ont permis didentifier des défauts, souvent liés à la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la méthode de spectroscopie de bruit.
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